第二子代MRCD和MDB最高支持12800MT/s速率，澜起较第一子代产品提升45%
上海2025年1月24日 /美通社/ -- 澜起科技今日宣布，科技其最新研发的成功第二子代多路复用寄存时钟驱动器(MRCD)和第二子代多路复用数据缓冲器(MDB)套片已成功向全球主要内存厂商送样。该套片专为DDR5多路复用双列直插内存模组(MRDIMM)而设计，送样最高支持12800 MT/s传输速率，第代旨在为下一代计算平台提供卓越的澜起内存性能，满足高性能计算和人工智能等应用场景对内存带宽的科技迫切需求。
澜起科技第二子代MRCD和MDB套片
随着人工智能和大数据分析等应用快速发展，处理器内核数量日益增多，送样对内存带宽的第代需求急剧增长。为应对这一挑战，澜起一种高带宽新型内存模组MRDIMM应运而生。科技澜起科技创新研发的成功MRCD和MDB，是送样应用于MRDIMM内存模组的关键接口芯片，支持"1+10"内存缓冲架构，第代即一根MRDIMM模组配备一颗MRCD芯片和十颗MDB芯片。
MRCD芯片负责缓冲和中继来自内存控制器的地址、命令、时钟和控制信号，MDB芯片则负责缓冲和中继来自内存控制器或DRAM内存颗粒的数据信号。通过采用MRCD和MDB套片，并结合双倍数据传输和时分复用技术，MRDIMM能在标准速率下同时跨两个阵列进行数据传输，从而实现双倍的数据传输速率。
作为全球内存接口芯片行业的领跑者，澜起科技量产的第一子代MRCD和MDB套片(支持数据速率8800 MT/s)，近期已获全球主要内存厂商规模采购。此次公司推出的第二子代MRCD和MDB工程样片，最高支持12800 MT/s的数据速率，相较第一子代产品提升约45%。
澜起科技总裁Stephen Tai先生表示："随着人工智能和其他严苛工作负载对内存性能的要求日益提升，数据中心内存不断向更大容量和更高带宽方向发展。澜起科技凭借深厚的技术积累和前瞻性布局，成功量产DDR5第一子代MRCD和MDB套片，并迅速迭代推出第二子代MRCD和MDB。这不仅为DDR5内存技术的未来发展注入了新的动能，也再次巩固了我们在全球内存接口领域的领先地位。"
除了MRCD、MDB芯片以外，澜起科技还提供包括RCD 、DB、CKD、SPD Hub、PMIC、TS在内的全方位内存接口与模组配套芯片解决方案。其中，公司推出的DDR5第五子代RCD芯片，已于2024年第四季度送样。澜起科技致力于提供一站式内存接口产品和技术支持，全面满足客户多样化的应用需求。如需了解更多澜起科技内存接口产品详情，请访问https://www.montage-tech.com/cn/Memory_Interface。
