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白光LED将引发照明技术革命浪潮

白光LED将引发照明技术革命浪潮

    【建材网】全球白光LED研制进展:白光LED分单芯片、白光双芯片、将技术三芯片和四芯片,照明以下将按这一分类介绍:
  
  一、革命单芯片LED
  
  InGaN(蓝)/YAG荧光粉
  
  这是浪潮一种目前较为成熟的产品,其中1W和5W的白光Lumileds已有批量产品。这些产品采用芯片倒装结构,将技术提高发光效率和散热效果。照明荧光粉涂覆工艺的革命改进,可将色均匀性提高10倍。浪潮实验证明,白光电流和温度的将技术增加使LED光谱有些蓝移和红移,但对荧光光谱影响并不大。照明寿命实验结果也较好,革命Φ5的浪潮白光LED在工作1.2万小时后,光输出下降80%,而这种功率LED在工作1.2万小时后,仅下降10%,估计工作5万小时后下降30%。
  
  InGaN(蓝)/红荧光粉+绿荧光粉
  
  Lumileds公司采用460nmLED配以SrGa2S4:Eu2+(绿色)和SrS:Eu2+(红色)荧光粉,色温可达到3000K-6000K的较好结果,Ra达到82-87,较前述产品有所提高。
  
  InGaN(紫外)(红+绿+蓝)荧光粉
  
  Cree、日亚、丰田等公司均在大力研制紫外LED。Cree公司已生产出50mW、385nm—405nm的紫外LED;丰田已生产此类白光LED,其Ra大于等于90,但发光效率还不够理想;日亚于较近制得365nm、1mm、4.6V、500mA的高功率紫外LED,如制成白色LED,会有较好效果。2
  
  二、双芯片LED
  
  可由蓝LED+黄LED、蓝LED+黄绿LED以及蓝绿LED+黄LED制成,此种器件成本比较便宜,但由于是两种颜色LED形成的白光,显色性较差,只能在显色性要求不高的场合使用。
  
  三、三芯片(蓝色+绿色+红色)LED
  
  Philips公司用470nm、540nm和610nm的LED芯片制成Ra大于80的器件,色温可达3500K。如用470nm、525nm和635nm的LED芯片,则缺少黄色调,Ra只能达到20或30。

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